1、二次电子分辨率：≤0.6 nm @ 15kV；≤0.8 nm @ 1kV；
2、加速电压：200 V－30 kV、束流强度：0.8 pA-90 nA；
3、离子源种类：液态Ga离子源；
4、交叉点分辨率：≤4.5 nm @30 kV (多边法)，≤2.5 nm @30 kV (选边法)；
5、加速电压：0.5 kV - 30 kV、束流强度：1 pA - 60 nA。

Helios 5 UX可用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上微纳结构的表征及高质量定点APT、TEM样品制备，化学和晶体结构三维形态分析。可进行离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。

同轴TKD和平插能谱