1、二次电子分辨率：≥0.53 nm @ 15kV；≥0.82 nm @ 1kV；
2、加速电压：200 V－30 kV、束流强度：0.8 pA-90 nA；
3、离子源种类：液态Ga离子源；
4、交叉点分辨率：2.5 nm @30 kV；
5、加速电压：0.5 kV - 30 kV、束流强度：1 pA - 180 nA。

Helios 5 CX可用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上高质量定点APT、TEM样品制备，化学和晶体结构三的表征。可进行离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。

牛津UltimMax70EDS及C-Nano-EBSD分析系统：①EDS分辨率优于127eV(MnKα处）、元素分析范围Be4-Cf98、高分子超薄窗，100mm²有效面积；②EBSD在线最高标定解析速率优于600点/秒。