1、二次电子像分辨率：≤0.9 nm @ 15 kV，≤1.3 nm @1 kV；电子束加速电压：0.05-30 kV；电子束流：2 pA-400 nA。
2、背散射电子像分辨率：≤ 2.0 nm@30kV。
3、Xe离子源，离子束分辨率：≤ 12 nm @ 30 kV；离子束加速电压：3-30 kV；离子束流：1 pA-3 μA ；
4、 TOF-SIMS系统：分辨率不低于3500，可进行痕量元素分析，检出限低至10 ppm，能对H开始的轻元素进行检出分析；空间分辨率：横向分辨率：60 nm；纵向分辨率：5 nm。

TESCAN AMBER X双束场发射扫描电镜可用于电镜样品制备、微观结构表征和精确的微加工。同时配备的飞行时间二次离子质谱系统（TOF-SIMS）可准确分析元素或者同位素在深度方向的变化。与同轴TKD联用，可在使用不超过 2 nA 探头电流下，实现纳米级空间分辨率且保证几百点每秒的测试速度，最终实现对样品物相和取向的标定。EDS装配在FIB上，可对刚加工过的新鲜样品表面、截面进行快速、准确的定性和半定量分析。

仪器主机、飞行时间二次离子质谱系统（TOF-SIMS）、EBSD、同轴TKD和EDS