1、二次电子像分辨率：0.6 nm @15 kV-2 kV，0.7 nm@1 kV,1.0 nm@0.5 kV;
2、加速电压：350 V ～ 30 kV；着陆电压最低达20V；
3、电子束流：0.8 pA ～ 100 nA；
4、放大倍数：20x-1,000,000x；
5、普通二次电子检测器 (ETD)、极靴内二次电子探测器 (TLD-SE)、极靴内背散射电子探测器 (TLD-BSE)、镜筒内二次电子探测器 (ICD)、镜筒内背散射电子探测器 (MD) ；

1、极高分辨率成像
使用单色电子源在高低电压下均可实现亚纳米分辨率，在电子束敏感材料上实现极佳衬度，着陆能量低至20eV ，高灵敏度镜筒内和透镜下探测器以及信号过滤，可实现低剂量操作和极佳衬度。
2、高效率高精度分析
最大探针电流可达100nA，可满足对束流要求较高的能谱、EBSD的分析要求。而且在大束流下也可实现较高的分辨率（<2nm@6.4nA, 15kV）。实现高速高空间分辨率分析。

牛津UltimMax170EDS及SymmetryS3EBSD分析系统：①EDS分辨率优于127eV(MnKα处）、元素分析范围Be4-Cf98、高分子超薄窗，100mm²有效面积；②EBSD在线最高标定解析速率优于4500点/秒、最小工作电流100pA、最小工作电压5kV